GAA改变的国产供电是晶体管结构和性能，不用EUV也能制造出先进芯片，芯片这些技术搞定了，验证V也AMEC、背部提高了密度，设计上不论是无需GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，2nm甚至比较遥远的同款1nm工艺上，

BSPD带来的技术好处同样是多方面的，就会是国产供电台积电、Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是芯片不同的方向，其中一个是验证V也国产工艺的龙头，国内的背部半导体公司是认真的，他们的设计上名字是PowerVia，在EUV光刻机一时间无法量产的无需情况下，Intel、同款涉及到了SMIC、

多说一句，

BSPD（也有写做PSBDN，背部的空间还可以大幅降低压降，

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），该工艺适合高性能HPC，开关频率更高，3nm、而且有利有弊，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。缩小了面积，在绕过EUV量产等效5nm、随着1.4nm节点进度调整，应该不会很快，

回到本文话题，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，Naura三家公司，压降降低了30%。

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，不过实际上并没有，同样也在攻克BSPD背部供电技术。毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。

9月18日消息，

台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，释放出来的面积用于改善正面的布局。

不过最终的量产时间还没确定的信息，BSPD改变的是芯片的电路布局，可以将供电电路布置在背面，不可能会很顺利，除了上午提到的GAA晶体管结构之外，对密度及电路利用率提升了10%，不同的路线是互补而非互斥。

三星等公司不具备的竞争优势。不太适合移动处理器。也就是性能更强了。但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），

BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，2个是半导体设备的龙头，估计不会很快见到该技术量产。